IT之家注意到，豪威于去年 12 月推出 OVB0D 手机 CMOS 传感器。结合 GSMArena 此前报道，OVB0D 传感器拥有 40 万 full-well（满阱容量，每个像素能容纳的最大电荷量）、108dB 动态范围、二代 DCG（双转换增益）和 LOFIC（横向溢出积分电容）等“黑科技”，可在极限 HDR 场景下展现更佳效果。
LOFIC（lateral overflow integration capacitors，横向溢出积分电容）是一种次世代 HDR 成像技术，通过在单像素中整合线性与对数两种电荷容纳方式，提升 CMOS 传感器动态范围，可缓解图像过曝的问题，让手机在大光比场景下提供更丰富细节的照片。
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